柵極驅動器MF2008SW新電元工業(yè)SHINDENGEN

柵極驅動器MF2008SW新電元工業(yè)SHINDENGEN

柵極驅動器MF2008SW

柵極驅動器MF2008SW概要：

隨著電子設備的功能強化、功能集成和多功能化，功耗也不斷增加。傳統ECU輸入端的逆接保護和防止逆電流用元器件使用二極管，但是存在電流增加導致功率損耗和發(fā)熱增加的課題。因此作為替代器件，對“理想二極管"的需求越來越高。這些器件需在裝置處于省電狀態(tài)或輕負載狀態(tài)下也能穩(wěn)定防止逆電流，因此對可靠性的要求更高。

為了滿足這樣的需求，新電元工業(yè)公司推出了High-side Nch-MOSFET柵極驅動器IC“MF2008SW"。本產品與Nch-MOSFET組合，可作為理想二極管使用。 通過在前代產品※1中引入正向控制，可在逆電流流過之前將Gate關斷，在輕負載狀態(tài)下也能防止逆電流。另外，與傳統二極管相比※2，可降低約72％的功耗和約51％的溫升※3，因此有助于車載產品等需要逆接和逆電流保護的設備實現小型化和低功耗化。另外，與兩個Nch-MOSFET組合，還可作為雙向導通的半導體繼電器使用。與傳統的機械式繼電器相比，可將響應時間縮短至約1/1000，并可減少約96％的貼裝面積，有助于實現小型化和高速響應。

特點：

正向控制功能?！綱IN】-【OUT】<30mV時停止升壓，【VIN】-【OUT】>45mV時重啟升壓，以此來控制外置NchMOSFET的VDS電壓。

在逆電流流過之前實現Gate關斷。

降低功耗。作為理想二極管使用時，與傳統二極管相比，可降低約72％的功耗。

抑制溫升。作為理想二極管使用時，與傳統二極管相比，可抑制約51％的溫升。