WL15VWI-多測試系統(tǒng)SHIBASOKU芝測WL15VWI高耐壓泄漏測試
多測試系統(tǒng)SHIBASOKU芝測WL15VWI高耐壓泄漏測試
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WL15VWI
四個同時測定GBT, MOSFET, SBD, FRD, IPM, IPD, Chip
2000 V / 30 A
四個同時測量方法例
+ 2000 V±20毫安
±128 V±5 A
±60 V±30 A
±64 V±160毫安
zui大32個同時測量可能
高真空度而言，高溫低溫開始到業(yè)界zui高水平，5 kv高耐壓泄漏試驗。
次世代ー半導(dǎo)體材料的SiC /氮化鎵也對應(yīng)
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